你的位置:首页 > 新闻动态 > 行业新闻

微软加入新一代DRAM团体HMCC的理由

2012/5/23 14:44:37 点击:

  2012年5月8日,推进利用TSV(硅通孔)的三维层叠型新一代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布,软件行 业巨头美国微软已加盟该协会。

  HMC是采用三维构造,在逻辑 芯片上沿垂直方向叠加多个DRAM芯片,然后通过TSV连接布线的技术。HMC的最大 特征是与既有的DRAM相比,性能可 以得到极大的提升。提升的原因有二,一是芯 片间的布线距离能够从半导体封装平摊在主板上的传统方法的“cm”单位大幅缩小到数十μm~1mm;二是一 枚芯片上能够形成1000~数万个TSV,实现芯 片间的多点连接。

  微软之所以加入HMCC,是因为 正在考虑如何对应很可能会成为个人电脑和计算机性能提升的“内存瓶颈”问题。内存瓶 颈是指随着微处理器的性能通过多核化不断提升,现行架构的DRAM的性能 将无法满足处理器的需要。如果不解决这个问题,就会发 生即使购买计算机新产品,实际性 能也得不到相应提升的情况。与之相比,如果把基于TSV的HMC应用于 计算机的主存储器,数据传 输速度就能够提高到现行DRAM的约15倍,因此,不只是微软,微处理 器巨头美国英特尔等公司也在积极研究采用HMC。

  其实,计划采用TSV的并不只是HMC等DRAM产品。按照半 导体厂商的计划,在今后数年间,从承担 电子设备输入功能的CMOS传感器到负责运算的FPGA和多核处理器,以及掌管产品存储的DRAM和NAND闪存都将相继导入TSV。如果计划如期进行,TSV将担负起输入、运算、存储等 电子设备的主要功能。

图文并茂效果

友情链接:    彩票联盟代理   优乐彩彩票欢迎您   优乐彩彩票官方版   优乐彩彩票网址是多少   118彩票